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  • 2025

    5-13

    在工業自動化控制領域,層流壓差式質量流量控制器(MassFlowController,MFC)是精確測量和控制氣體流量的核心設備。而在易燃易爆的危險環境中,IIC防爆型質量流量控制器憑借其高安全性和技術優勢,占據了石油化工、窯爐、半導體制造、新能源等領域的核心市場。層流壓差原理是質量流量控制器實現高精度流量控制的基礎。其核心在于當氣體通過層流元件時,流體會處于層流狀態(雷諾數較低),此時流體內部的速度分布呈拋物線形,壓差與體積流量呈線性關系。通過測量層流元件兩端的壓差,結合流...

  • 2025

    5-9

    層流壓差式防爆型的質量流量控制器的工藝結構及特點耐腐蝕材料與密封優化材料選擇:采用316L不銹鋼流道,其低碳含量與鉬元素增強了抗點蝕和晶間腐蝕能力,適用于Cl?、H?S等腐蝕性介質環境。密封技術:關鍵密封點使用FFKM全氟醚橡膠或PTFE材質,耐受強酸、強堿及有機溶劑,漏率控制在1×10?10Pa·m3/s以下,避免介質泄漏導致的部件失效。層流元件與傳感技術層流元件:強制流體進入雷諾數Re雙通道壓差傳感:結合溫度補償模塊修正粘度變化誤差,典型精度可達±0.5%讀...

  • 2025

    5-7

    質量流量控制器(MassFlowController,MFC)在原子層沉積(AtomicLayerDeposition,ALD)設備中扮演著關鍵角色,其高精度、快速響應和穩定性對實現ALD工藝的高質量薄膜沉積至關重要。前驅體氣體的精確控制脈沖式氣體注入:ALD工藝基于交替的前驅體氣體脈沖注入(如金屬有機化合物、反應氣體等)。MFC需在極短時間內(毫秒級)精確控制氣體流量,確保每個脈沖的氣體量一致,從而實現單原子層的逐層沉積。流量穩定性:MFC通過閉環反饋系統實時調節流量,避免...

  • 2025

    5-6

    在工業自動化與精密流體控制領域,耐腐蝕型質量流量控制器(MFC)是保障生產安全與效率的關鍵設備。針對腐蝕性介質的嚴苛工況,基于層流壓差原理設計的耐腐蝕型MFC通過材料優化與結構創新,在半導體、化工、環保等領域展現價值。產品概述:層流壓差式MFC的耐腐蝕設計層流壓差式MFC基于流體層流狀態下的壓差-流量線性關系,通過高精度傳感器與算法實現流量精準控制。在耐腐蝕性能方面,其核心技術體現在三方面:材料選擇:核心流道與接觸部件采用316L不銹鋼,其低碳含量與鉬元素顯著提升抗點蝕、晶間...

  • 2025

    4-28

    泄漏率測試是工業制造與科研領域中確保系統密封性的關鍵環節,廣泛應用于半導體設備、真空系統、醫療儀器、航空航天等高精度領域。測試的核心目標是量化氣體或液體在密閉系統中的微小泄漏量,通常以標準立方厘米每分鐘(sccm)或類似單位衡量。由于現代工業對密封性的要求日益嚴苛(如半導體工藝中允許的泄漏率可能低至1×10??sccm級別),傳統檢測手段難以滿足需求,而基于層流壓差式質量流量控制器(MFC)的技術因其高精度、快速響應和環境適應性,逐漸成為泄漏率測試的核心設備。層流壓差式MFC...

  • 2025

    4-27

    揮發性有機物(VOCs)的在線監測是環保治理的關鍵環節,尤其在工業廢氣處理、大氣污染防控等領域。而層流壓差式質量流量控制器(MassFlowController,簡稱MFC)憑借其高精度、抗吸附性及耐腐蝕等特點,成為VOCs在線監測系統中的核心組件。層流壓差式MFC的技術原理與VOCs監測的適配性層流壓差式MFC基于哈根-泊肅葉定律,通過層流元件強制氣體進入層流狀態(雷諾數Re技術特性與VOCs監測的適配性:高精度與穩定性:精度可達±0.5%讀數,重復性&plu...

  • 2025

    4-25

    質量流量控制器在諸多領域中發揮著關鍵作用,其性能的優劣直接關系到系統的精確控制和穩定運行。以下是一些影響質量流量控制器性能的重要因素。流體特性是影響質量流量控制器性能的關鍵因素之一。不同的流體具有不同的物理性質,如密度、粘度、溫度和壓力等。密度較大的流體在相同的流速下會產生更大的質量流量,而粘度較高的流體則可能導致流量測量和控制的誤差增大。此外,流體的溫度和壓力變化也會對控制器的性能產生影響,因為這些變化會導致流體密度和體積的改變,進而影響質量流量的測量精度。精度和分辨率也是...

  • 2025

    4-25

    化學機械拋光(ChemicalMechanicalPolishing,CMP)是半導體制造中實現晶圓表面納米級平坦化的關鍵工藝,其核心設備CMP機臺通過化學腐蝕與機械研磨的協同作用,確保芯片多層結構的精確加工。質量流量控制器(MassFlowController,MFC)作為高精度氣體流量控制的核心部件,在CMP設備中扮演了重要角色。CMP工藝對氣體控制的嚴苛需求CMP工藝的核心是通過拋光液與晶圓表面的化學反應及機械摩擦實現材料去除。在此過程中,多種工藝氣體(如氧氣、氮氣、氬...

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